第7回ソフトエラー(などの半導体の放射線効果)勉強会(ソフトエラーワークショップ)

ソフトエラー測定方法の標準化を目的の1つとしたQiSS (安心・安全・スマートな長寿社会実現のための高度な量子アプリケーション技術の創出のためのコンソーシアム) が2017年10月より立ち上がりました．詳細はこちらをご覧ください．

目的:

国内のソフトエラーなどの半導体における放射線効果に関する研究者間の情報交換, 懇親.

日時

2019年9月5日(木) AM - 9月6日(金) AM

会場

講演会

大阪大学・中之島センター 住所: 大阪市北区中之島4-3-53 4F 講義室 406 (講演会), 4F 講義室 405 (初日の受付, ポスター), 2F カフェテリア　スコラ (懇親会)

見学会

見学場所

大阪大学・ 核物理研究センター (RCNP) 住所: 大阪府茨木市美穂ヶ丘10-1 (アクセスマップ)

集合時間

9月5日（木）10:30

集合場所

大阪大学核物理研究センター　AVFサイクロトロン棟　制御計数室※AVFサイクロトロン棟の玄関を入って左手廊下奥の部屋

見学概要

最初にRCNPの概要をコンソールで説明した後に施設内へご案内いたします。 白色中性子照射に用いているWNコースは、照射野拡大のために西実験室内の 照射場直前の中性子コリメータを撤去し、コンクリート壁の穴を削る工事の準備が 整っております。その辺の現場と、東実験室に建設予定の新白色中性子源のエリア、 リングサイクロトロン本体のいつも見られないビーム入射・中心部など、普段の 施設見学とは異なるコースでご案内いたします。

参加費

社会人 4000円、学生 2000円 (当日現金払い)

懇親会費

社会人 1000円、学生 500円 (当日現金払い)

(見学会のみ参加の方は，参加費不要です)

ドレスコード

平服で結構です．

参加・ポスター発表申し込み

9/2に締め切らせていただきました．現在，45名の参加登録を頂いております．

最終プログラム (2019/8/29版)

9/5 (木曜)
10:30-12:00 大阪大学核物理研究センター(RCNP) 加速器見学 (希望者)
(移動、昼食)
14:00-14:05 オープニング
14:05-14:45 講演1
　　「人工衛星搭載用フラッシュメモリデータ記録装置の耐放射線設計」
　　　佐々木 通 (三菱電機)
14:45-15:25 講演2
　　「国内小型中性子源施設の現状とソフトエラー研究への適用の可能性」
　　　清水 裕彦(名古屋大学)
15:25-15:40 休憩
15:40-16:20 講演3
　　「半導体デバイスのミューオン誘起ソフトエラー率評価のための技術基盤構築」
　　　渡辺 幸信 (九州大学)
16:20-17:00 特別招待講演4
　　「Soft Errors in DNN Models - from the perspective of GPUs」
　　　Prof. Haibin Wang (Hohai University)
17:00-17:15 ポスターショートプレゼンテーション
17:15-18:20 ポスターセッション
18:45-20:45 懇親会

9/6 (金曜)
9:30-10:10 講演5
　　「12-nm FinFET SRAMにおける中性子起因ソフトエラーの評価：入射方向の影響」
　　　加藤 貴志 (ソシオネクスト)
10:10-10:50 講演6
　　「ソフトエラーに関する勧告の概説」
　　　長崎文彦 (日立製作所)
10:50-11:00 休憩
11:00-11:40 講演7
　　「耐放射線光再構成FPGA」
　　　渡邊　実 (静岡大学)
11:40-11:45 クロージング

講演時間は一部を除き 40分です．発表30分，質疑応答10分程度でお願い致します．

講演スライド

こちらにあります．開封パスワードは開催当日にお知らせします．

展示

株式会社　アドバンテスト
CTS CX1000によるデバイス評価デモ

ポスターセッション

廖　望
高知工科大学
Impact of Incident Angle on Negative Muon-induced SEU Cross Section of
65-nm Bulk SRAMs

伊東功次郎
大阪大学
Characterizing Neutron-Induced SDC Rate of Matrix Multiplication in Tesla P4 GPU

綿井 稜太
名古屋大学
HL-LHC ATLAS実験におけるTGC検出器前段回路上の半導体素子に対するTID, NIEL耐性試験とSEM Controllerの動作検証

森風馬
京都工芸繊維大学
デバイスモデルの静特性の合わせこみによるソフトエラー耐性の評価と実測結果との比較

榎原光則
京都工芸繊維大学
65nm FDSOIプロセスにおけるガードゲート構造を用いたフリップフロップのソフトエラー耐性評価

河野 雄哉
京都工芸繊維大学
中性子照射によるSRAM型とフラッシュメモリ型FPGAのソフトエラー故障率の比較

黒田順也
九州大学
65-nm SRAMに対するJ-PARC MLF核破砕中性子照射試験

真鍋征也
九州大学
負ミューオン起因SEUの素過程解明に向けた核反応に関する研究

馬原巧
九州大学
RCNP-MuSIC施設を利用した65nm SRAMに対する負ミューオン照射試験

佐藤光流
九州大学
建屋内における低エネルギー宇宙線ミュオンスペクトルの測定

室田　拓哉
九州大学
65 nmバルクSRAMに対するミュオン誘起SEUデータの解析

附田 悠人
京都工芸繊維大学
65 nmバルクプロセスにおけるフリップフロップの電源電圧によるソフトエラー耐性の実測評価

小島 健太郎
京都工芸繊維大学
デバイスシミュレーションを用いたFDSOIプロセスにおけるラッチ構造の違いによる ソフトエラー耐性の基板電圧依存性の評価

発表者の方へ

口頭発表

• ご自身のPCで発表願います．ご持参が難しい場合は，USBメモリでパワーポイントフォーマット(ppt, pptx)もしくはPDFでお持ちください．

• 口頭発表は「特許(いわゆる30条)」の新規性喪失の例外には適用されないこととします. 特許出願を予定されている場合は, 事前に出願を済ませておいてください.

ポスター発表

• 既発表のものでも構いません．

• 縦x横=1.8mx1.2mのポスターボードを準備します. スライドをそのままご利用になる場合は, できるだけA3で印刷を御願いします. ポスターセッション前に随時準備をおねがいします．

• ポスター発表は「特許(いわゆる30条)」の新規性喪失の例外には適用されないこととします. 特許出願を予定されている場合は, 事前に出願を済ませておいてください.

ポスター講演リスト

TBD

これまでのプログラム等

過去の開催プログラム等はこちらをご覧ください．

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主催: 大阪大学情報科学研究科情報システム工学専攻 集積システム設計学講座

協力: 大阪大学核物理研究センター(RCNP)， 京都工芸繊維大学電子システム工学専攻 電子回路工学講座， QiSS (安心・安全・スマートな長寿社会実現のための高度な量子アプリケーション技術の創出)

問い合わせ先: ser2019@vlsi.es.kit.ac.jp