最新SOI技術に関する国際シンポジウム

International Symposium on Leadging-edge SOI Technologies.

概要

Planarシリコン技術の最終型として注目を浴びているThin BOX FD-SOI技術に関する日欧の2つの技術を 2名の研究者に講演いただきます．Dr. P. RocheはSTマイクロでソフトエラーを中心とした技術の研究を行なっている研究者です． Dr. N. Sugii(杉井 信之氏)は，国プロであるLEAP(超低電圧デバイス技術研究組合)において， 65nm SOTB (薄膜埋め込み酸化膜) FD-SOI技術の開発とマネジメントを行なっておられる研究者です． 東大VDECで8/26に開催されるD2Tシンポジウム とほぼ同じ内容を講演いただきます．早稲田大学の後藤敏先生にもご参加いただきます．

Rocheさんが急に参加できなくなったため，2件とも杉井様に日本語で講演いただくことになりました．

日時

2014/8/27(水) 14:00-16:20

場所

京都工芸繊維大学60周年記念館 1F 記念ホール(地下鉄松ヶ崎駅下車 徒歩10分)

プログラム

14:00-14:05 Opening

by Prof. K. Kobayashi (KIT)

14:05-15:00

"Ultralow-Voltage Design and Technology of Silicon-on-Thin-Buried-Oxide (SOTB) CMOS for Highly Energy Efficient Electronics in IoT Era" by N. Sugii (Low-power Electronics Association & Project)

15:00-15:10

Break

15:10-16:10

"Process and Design Differentiations at Ultra-Low-Voltage in UTBB FDSOI 28nm" by P. Roche (ST Microelectronics)

presented by N. Sugii.

16:10-16:20 Closing

by Prof. S. Goto (Waseda Univ.)

参加費

無料

参加資格

どなたでも

参加申し込み

参加申し込みは終了しました．参加者は23名でした．

主催

京都工芸繊維大学 電子システム工学専攻 小林研究室

共催

IEEE CAS Kansai Chapter, IEEE SSCS Kansai Chapter